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Volume 28: Pages 491-495, 2015
Numerical simulation of NO removal in NO/N2 mixture plasmas under different radical shielding conditions
Chunmei Cao,a) Yinghui Han, and Yi Zhao
North China Electric Power University, 619th Yonhua North Street, Lianchi District, Baoding 071003, China
The physicochemical processes in NO/N2 mixture plasmas are numerically simulated in order to remove NO. Number density evolutions of the main particles (including N radical, O radical, NO, NO2, O2, and N2), which influence the removal of NO, are calculated and analyzed under different radical shielding conditions. The results show that N radical dominates the production and the consumption of the main particles, N radical controls conversion of NO to N2, and O radical controls conversion of NO to NO2. The effects of radical shielding conditions and N radical number density on NO removal efficiency in NO/N2 mixture plasmas are investigated, and optimum value and saturation value of N radical density for NO removal from NO/N2 mixture plasma are 8.59_1015 cm_3 and 11.5_1015 cm_3, respectively.
Les processus physico-chimiques dans les plasmas du mélange NO/N2 sont simulés numériquement pour éliminer NO. Les évolutions de la densité du nombre des particules principales (y compris le radical N, le radical O, NO, NO2, O2 et N2 ), qui influencent sur l’élimination de NO, sont calculées et analysées dans les conditions variables d’écran de radical. Les résultats montrent que le radical N domine la production et la consommation des particules principales, le radical N contrôle la conversion de NO en N2 et le radical O contrôle celle de NO en NO2. Les effets des conditions d’écran de radical et l’influence de la densité de nombre du radical N sur l’efficacité d’élimination NO dans le plasmas du mélange NO/N2 sont étudiés, et la valeur optimale et la valeur de saturation de la densité du nombre du radical N dans l’élimination de NO sont respectivement 8.59 × 1015 cm-3 et 11.5 × 1015 cm-3.
Key words: Plasma Simulation; Plasma Dynamics; Radical; NO Removal.
Received: January 13, 2014; Accepted: September 29, 2015; Published Online: October 21, 2015
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